東芝記憶體株式會社推出採用96層3D快閃記憶體的1TB單一封裝PCIe® Gen3 x4L SSD
記者：新聞編譯中心 新聞分類：產業科技 更新日期：2019-01-11 08:10:00
東京--(美國商業資訊)--記憶體解決方案全球領導者東芝記憶體株式會社(Toshiba Memory Corporation)10日宣布推出BG4系列，該新系列單一封裝NVMe™ SSD儲存容量高達1,024GB，在單一封裝中嵌入創新性96層3D快閃記憶體和全新控制器，實現業界最佳[3]讀取性能。BG4系列目前正針對電腦原廠客戶限量提供樣品，預計將於2019年第二季末公開提供樣品。
該新系列單一封裝SSD採用PCIe® Gen3 x4通道，循序讀取性能高達2,250 MB/s，且快閃記憶體管理得到改善，提供業界領先的隨機讀取速度，每秒讀寫操作的次數高達380,000。BG4單一封裝SSD適用於緊湊型和性能型系統，如超薄筆記型電腦、物聯網嵌入系統和資料中心啟動伺服器。
而且，與上一代BG3系列相比，BG4系列循順寫入速度和隨機寫入速度分別提高約70%和90%。此外，該新系列採用東芝記憶體株式會社尖端的BiCS FLASHTM 3D快閃記憶體和全新的SSD控制器，其讀取功率效率提高達 20%，寫入功率效率提高達7%。
BG4單一封裝SSD系列將提供128GB、256GB、512GB和1,024GB四種儲存容量。其中，儲存容量512GB以下的SSD厚度超薄，僅為1.3mm。尺寸外形選項包括表面黏著型M.2 1620 (16 x 20mm)單一封裝或抽取式M.2 2230 (22 x 30mm)模組，大幅提高了輕薄型行動PC的設計靈活性。
BG4 SSD符合NVM ExpressTM Revision 1.3b規範，支援選購的自我加密硬碟 (TCG Opal version 2.01)型號。
在2019年國際消費電子展(CES®)期間，該BG4新系列將在 Toshiba Memory America, Inc.位於Venetian® Resort的私人套房亮相，展覽持續到1月11日。
該新系列單一封裝SSD採用PCIe® Gen3 x4通道，循序讀取性能高達2,250 MB/s，且快閃記憶體管理得到改善，提供業界領先的隨機讀取速度，每秒讀寫操作的次數高達380,000。BG4單一封裝SSD適用於緊湊型和性能型系統，如超薄筆記型電腦、物聯網嵌入系統和資料中心啟動伺服器。
而且，與上一代BG3系列相比，BG4系列循順寫入速度和隨機寫入速度分別提高約70%和90%。此外，該新系列採用東芝記憶體株式會社尖端的BiCS FLASHTM 3D快閃記憶體和全新的SSD控制器，其讀取功率效率提高達 20%，寫入功率效率提高達7%。
BG4單一封裝SSD系列將提供128GB、256GB、512GB和1,024GB四種儲存容量。其中，儲存容量512GB以下的SSD厚度超薄，僅為1.3mm。尺寸外形選項包括表面黏著型M.2 1620 (16 x 20mm)單一封裝或抽取式M.2 2230 (22 x 30mm)模組，大幅提高了輕薄型行動PC的設計靈活性。
BG4 SSD符合NVM ExpressTM Revision 1.3b規範，支援選購的自我加密硬碟 (TCG Opal version 2.01)型號。
在2019年國際消費電子展(CES®)期間，該BG4新系列將在 Toshiba Memory America, Inc.位於Venetian® Resort的私人套房亮相，展覽持續到1月11日。
